A SanDisk está focando em inovação com o lançamento de novos SSDs QLC para data centers, que oferecem capacidades de até 128TB. Durante um evento para investidores, a empresa destacou tecnologias como CMOS Bonded to Array e Toggle DDR6.0, que visam aumentar a densidade de memória e reduzir o consumo de energia.
A SanDisk anunciou novidades significativas no setor de armazenamento durante um evento recente para investidores, destacando o lançamento de SSDs QLC para data centers com até 128TB de capacidade. Essa nova linha de produtos promete elevar a densidade de bits e reduzir o consumo de energia, posicionando a SanDisk como líder em inovação no mercado de memória flash NAND.
A Separação da SanDisk da Western Digital
A separação da SanDisk da Western Digital marca um novo capítulo na história da empresa, prometendo foco renovado em inovação e crescimento no mercado de armazenamento de dados.
Anunciada para ocorrer até o final de fevereiro, essa decisão estratégica visa permitir que a SanDisk opere com maior independência e agilidade, respondendo mais rapidamente às demandas do mercado.
Durante um evento para investidores, executivos da SanDisk apresentaram suas expectativas para o futuro, enfatizando o compromisso da empresa em liderar o desenvolvimento de tecnologias avançadas de memória flash NAND, indicou a Forbes.
A separação permitirá que a SanDisk concentre seus esforços em áreas estratégicas, como o aumento da densidade de bits e a redução do consumo de energia em seus produtos.
Com a independência, a SanDisk espera fortalecer parcerias e explorar novas oportunidades de mercado, mantendo-se competitiva frente a outros gigantes do setor.
A empresa também planeja expandir seu portfólio de produtos, oferecendo soluções de armazenamento de alta capacidade que atendam às necessidades crescentes de data centers e outras aplicações críticas.
Inovações Tecnológicas na Memória NAND
A SanDisk está na vanguarda das inovações tecnológicas no campo da memória NAND, introduzindo avanços significativos que prometem redefinir o mercado.
Entre as principais inovações está a tecnologia CMOS Bonded to Array (CBA), que permite maior densidade de memória ao conectar diretamente o CMOS à matriz de memória, otimizando o espaço e melhorando a eficiência energética.
Outra inovação notável é o uso do padrão de interface Toggle DDR6.0, que aumenta a velocidade de interface NAND em 33%, atingindo 4,8 Gb/s.
Essa melhoria é acompanhada por tecnologias como o Separate Command Address (SCA) e o Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), que reduzem o consumo de energia em 10% na entrada e 34% na saída, tornando os produtos mais sustentáveis e eficientes.
A SanDisk também está desenvolvendo métodos de escalonamento lateral, lógico e arquitetônico, permitindo maior densidade de bits com menor contagem de camadas.
Isso é crucial para enfrentar a desaceleração no crescimento da oferta de NAND, garantindo que a empresa possa atender à demanda crescente por soluções de armazenamento de alta capacidade.
Essas inovações são parte dos esforços contínuos da SanDisk para liderar o mercado de memória flash, oferecendo produtos que não apenas atendem, mas superam as expectativas dos consumidores e parceiros de negócios.